2013年03月20日

SiCパワー半導体シェア30%目指す、東芝姫路

東芝姫路半導体工場播磨太子町

2020年に、現在の10倍の市場規模とされるSiCパワー半導体。東芝姫路は、30%のシェアを目指すといいます。

SiCを採用したパワー半導体の量産について(東芝)
当社は、産業機器・車載機器向けに需要拡大が見込まれるパワー半導体分野において、シリコンカーバイド(SiC)を採用した製品を今月末から姫路半導体工場で量産を開始します。
(中略)
SiCを採用したパワー半導体は従来のシリコン(Si)を採用した従来製品に比べて高電圧・大電流でも安定的に動作し、動作時に電力が熱として失われる電力損失を大幅に削減できます。
SiCパワー半導体は、ローム三菱が先行していますが、東芝の追撃で今後どうなっていくのでしょうね。

参考
SiC(炭化ケイ素)半導体とは(TechOn) - 炭素(C)とケイ素(Si)の化合物であるSiC(Silicon carbide,炭化ケイ素)からなる半導体である。最大の特徴は,バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広く,その分絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きい点。また,熱伝導性,耐熱性,耐薬品性に優れ,放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持つ。(記事より)

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Posted by miki at 00:08│Comments(0)企業
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